Corsair VS1GB800D2 1GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

-->

Средняя оценка

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Средняя оценка

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair VS1GB800D2 1GB

Причины выбрать
Corsair VS1GB800D2 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16

Среднее значение в тестах

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 47

Около -27% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.6 1,361.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair VS1GB800D2 1GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 37
Скорость чтения, Гб/сек

4,680.7 16.0
Скорость записи, Гб/сек

1,361.1 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

460 2808

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB

модули RAM