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Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
47
左右 -27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
37
读取速度,GB/s
4,680.7
16.0
写入速度,GB/s
1,361.1
12.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
2808
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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