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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
48
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
28
读取速度,GB/s
8.9
18.5
写入速度,GB/s
5.9
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3444
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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