RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
87
Wokół strony -149% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2773
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link