RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
87
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
59
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1954
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link