TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 7.6

Среднее значение в тестах

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

59 87

Около -47% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 59
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 17.3
Скорость записи, Гб/сек

870.4 7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 1954

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Super Talent F26UB16GH 16GB

Super Talent F26UB16GH 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM