RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
53
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3458
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link