RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
53
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3497
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link