RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
53
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2809
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link