RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
53
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2935
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link