RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
60
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2969
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link