RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около -150% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2969
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link