RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
13.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2237
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link