RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
63
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
63
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
1863
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link