RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
53
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3540
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link