RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
27
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2632
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link