RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
27
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2632
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link