RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3657
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link