RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
33
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
30
Velocità di lettura, GB/s
8.0
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3657
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link