RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3657
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link