RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
53
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3861
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link