RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
53
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3762
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link