RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2892
2613
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link