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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Confronto
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
35
Velocità di lettura, GB/s
15.4
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2892
2613
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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