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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2892
2613
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
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