RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
53
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3169
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link