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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
53
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
23
读取速度,GB/s
3,726.4
16.6
写入速度,GB/s
1,590.1
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3169
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
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