Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Inmos + 256MB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Inmos + 256MB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

总分
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    13.7 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.6 left arrow 9.1
    测试中的平均数值
Inmos + 256MB 需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 35
    左右 -17% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    16800 left arrow 12800
    左右 1.31 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Inmos + 256MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    35 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    13.7 left arrow 11.5
  • 写入速度,GB/s
    9.6 left arrow 9.1
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 16800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    2312 left arrow 2318
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