Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Inmos + 256MB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Inmos + 256MB

Puntuación global
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Puntuación global
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 11.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 9.1
    Valor medio en las pruebas
Inmos + 256MB Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 35
    En -17% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    16800 left arrow 12800
    En 1.31 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Inmos + 256MB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 11.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 9.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 16800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2312 left arrow 2318
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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