Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

Puntuación global
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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 36
    En 17% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 10.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.1 left arrow 9.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 14200
    En 1.2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    30 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.9 left arrow 13.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 10.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    14200 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2272 left arrow 2581
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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