RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
53
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2173
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link