RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
53
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2987
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link