RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
53
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2852
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link