RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
59
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
59
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2181
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link