RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
53
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2466
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link