RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
53
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2353
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link