RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
3601
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link