TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

総合得点

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

総合得点

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

相違点仕様コメント

相違点

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

考慮すべき理由
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 28

周辺 11% 低遅延

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

18.5 12.5

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.7 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

25 28
読み出し速度、GB/s

12.5 18.5
書き込み速度、GB/秒

8.4 15.7
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2180 3601

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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