RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
2774
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link