RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2330
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link