RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
69
Por volta de -123% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
11.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2330
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link