RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
73
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
73
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
1736
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link