RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
3716
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX3M4X1866C9 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link