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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno 11% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
28
Velocità di lettura, GB/s
12.5
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
3716
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
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