RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston X75V1H-MIE 32GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
57
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
57
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
2886
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link