RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3157
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link