RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
2082
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link