RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
2920
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link