RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
68
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3299
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link