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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
比較する
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
総合得点
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
68
周辺 -143% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
1,702.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
68
28
読み出し速度、GB/s
3,886.6
17.3
書き込み速度、GB/秒
1,702.6
13.4
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
654
3299
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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