RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
96
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2231
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link